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タイトル: LOW THERMAL EXPANSION OF ELECTRODEPOSITED COPPER IN THROUGH SILICON VIAS
その他のタイトル: シリコン貫通電極での銅めっきと低熱膨張特性)
著者: DINH, VAN QUY
著者名の別形: ディン, ヴァン クイ
キーワード: Through silicon via
Copper electrodeposition
Thermal expansion coefficient
Thermal stress
Bottom-up filling
発行日: 25-May-2020
出版者: Kyoto University
学位授与大学: 京都大学
学位の種類: 新制・課程博士
取得分野: 博士(エネルギー科学)
報告番号: 甲第22673号
学位記番号: エネ博第405号
学位授与年月日: 2020-05-25
請求記号: 新制||エネ||77(附属図書館)
研究科・専攻: 京都大学大学院エネルギー科学研究科エネルギー応用科学専攻
論文調査委員: (主査)教授 平藤 哲司, 教授 馬渕 守, 教授 土井 俊哉
学位授与の要件: 学位規則第4条第1項該当
著作権等: 学位規則第9条第2項により要約公開
許諾条件により本文は2021-05-01に公開
DOI: 10.14989/doctor.k22673
URI: http://hdl.handle.net/2433/253518
出現コレクション:120 博士(エネルギー科学)

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