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http://hdl.handle.net/10119/16139
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| タイトル: | The formation of poly-Si films on flat glass substrates by flash lamp annealing |
| 著者: | Watanabe, Taiki
Ohdaira, Keisuke |
| キーワード: | Flash lamp annealing
Amorphous silicon
Polycrystalline silicon
Crystallization
Film stress |
| 発行日: | 2015-08-06 |
| 出版者: | Elsevier |
| 誌名: | Thin Solid Films |
| 巻: | 595 |
| 号: | Part B |
| 開始ページ: | 235 |
| 終了ページ: | 238 |
| DOI: | 10.1016/j.tsf.2015.08.003 |
| 抄録: | We have succeeded the formation of polycrystalline silicon (poly-Si) films by flash lamp annealing (FLA) of 4-μm-thick intrinsic amorphous silicon (a-Si(i)) films deposited directly on flat glass substrates by tuning catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) conditions. The use of a-Si(i) films deposited without intentional substrate heating leads to the suppression of Si film peeling during FLA. The a-Si(i) films deposited at room temperature have low film density, low film stress, and high defect density, compared to a-Si(i) films deposited at higher temperatures. The prevention of Si film peeling may be due to the low film stress and/or the suppression of the emergence of lateral explosive crystallization (EC) by using a-Si(i) films with low film density. |
| Rights: | Copyright (C)2015, Elsevier. Licensed under the Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International license (CC BY-NC-ND 4.0). [http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/] NOTICE: This is the author's version of a work accepted for publication by Elsevier. Taiki Watanabe and Keisuke Ohdaira, Thin Solid Films, 595(Part B), 2015, 235-238, http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2015.08.003 |
| URI: | http://hdl.handle.net/10119/16139 |
| 資料タイプ: | author |
| 出現コレクション: | c10-1. 雑誌掲載論文 (Journal Articles)
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