Řízený zdroj vysokého napětí

Loading...
Thumbnail Image
Date
ORCID
Mark
D
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Cílem této diplomové práce je návrh zdroje vysokého napětí určeného pro generování bipolárních impulzů, které jsou vhodné pro proces vratné a nevratné elektroporace. Dále navrhnout elektronické řízení zdroje. V první části práce jsou rozebrány teoretické poznatky o procesu elektroporace, ve druhé části jsou popsány principy realizace takových zdrojů, další část se zabývá návrhem zdroje a jeho řízením. Předposlední částí je popis uživatelského manuálu a poslední část je věnována měření.
The aim of this master thesis is to design a high voltage source for the generation of bipolar pulses, which are suitable for the process of reversible and irreversible electroporation. Further design is electronic control. The first part of the thesis analyzes the theoretical knowledge about the process of electroporation, the second part describes the principles of realization of such sources, the next part deals with the design of the source and its control. The penultimate part is a description of the user manual and the last part is dedicated to the measurement.
Description
Citation
CHLOUPEK, J. Řízený zdroj vysokého napětí [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2017.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Telekomunikační a informační technika
Comittee
doc. Ing. Miloš Orgoň, Ph.D. (předseda) doc. Ing. Radim Burget, Ph.D. (místopředseda) Ing. Tomáš Zeman, Ph.D. (člen) prof. Ing. Jaroslav Koton, Ph.D. (člen) doc. Ing. Petr Münster, Ph.D. (člen) Ing. Zuzana Bečková (člen)
Date of acceptance
2017-06-07
Defence
V kapitole 5.3 zmiňujete, že softwarová smyčka je pro generování pulsů příliš pomalá. Proč jste k tomu nepoužil hardwarovou PWM jednotku v mikrokontroléru na Arduino desce? Ta je k tomu přímo určena. V kapitole 2.2 tvrdíte, že bipolární tranzistory se používají do kmitočtu 10 kHz, MOSFET do 1 MHz a IGBT do 100 kHz. Kde jste tyto údaje nalezl? Platí tato úměra, pokud porováváte prvky s podobnými parametry, tedy např. Uce = 1200 V a Ic = 10 A? 1. Uveďte prvotní parametry, které se očekávaly od zdroje pulzů, a ze kterých vycházel výběr součástek. 2. Uveďte přepočet zaokrouhlených hodnot „sirka_pulzu“ a „pocet_pauz“ na skutečné parametry f_H, f_L a ukažte tak správnou činnost Vámi navrženého SW.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO