Počítačové modelování MOSFET tranzistoru

No Thumbnail Available
Date
Authors
Major, Jan
ORCID
Advisor
Pokorný, Michal
Referee
Harwot, Ondřej
Mark
C
Journal Title
Journal ISSN
Volume Title
Publisher
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstract
Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů.
Work is focused on computer modeling of PN junction and MOSFET transistor in the program COMSOL Multiphysics and in program TiberCAD. The text is discussed on the drift and diffusion in semiconductors. Also shown is a method of modeling the PN junction and MOSFET transistor in the programs and compare models.
Description
Citation
MAJOR, J. Počítačové modelování MOSFET tranzistoru [online]. Brno: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií. 2011.
Document type
Document version
Date of access to the full text
Language of document
cs
Study field
Elektronika a sdělovací technika
Comittee
prof. Ing. Milan Sigmund, CSc. (předseda) Ing. Jan Prokopec, Ph.D. (místopředseda) doc. Ing. Zdeněk Nováček, CSc. (člen) Ing. Zbyněk Fedra, Ph.D. (člen) doc. Dr. Ing. Josef Punčochář (člen) Prof. Ing. Miloš Mazánek, CSc. (člen)
Date of acceptance
2011-06-08
Defence
Student prezentuje výsledky a postupy řešení své diplomové práce. Následně odpovídá na dotazy vedoucího a oponenta práce a na dotazy členů zkušební komise.
Result of defence
práce byla úspěšně obhájena
Document licence
Standardní licenční smlouva - přístup k plnému textu bez omezení
DOI
Collections
Citace PRO