Publicação:
Extended states in disordered doped polyacetylene chains

Nenhuma Miniatura disponível

Data

1992-09-01

Orientador

Coorientador

Pós-graduação

Curso de graduação

Título da Revista

ISSN da Revista

Título de Volume

Editor

Tipo

Artigo

Direito de acesso

Acesso restrito

Resumo

In this work we study the electronic structure of ordered and disordered distributions of soliton-type defects along large, finite chains of trans-polyacetylene (trans-PA), as a function of the concentration of defects. The Negative Factor Counting method was used in a tight-binding parameterization with the geometrical data from Austin Method 1 calculations. Our results show the presence of extended (conducting) states at the Fermi level that could explain the semiconductor-metal transition for highly doped trans-polyacetylene, in accordance with the experimentally observed infrared-active vibrational states. © 1992.

Descrição

Idioma

Inglês

Como citar

Synthetic Metals, v. 51, n. 1-3, p. 169-173, 1992.

Itens relacionados

Unidades

Departamentos

Cursos de graduação

Programas de pós-graduação