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タイトル: Fundamental Study on Si Nanowires for Advanced MOSFETs and Light-Emitting Devices
その他のタイトル: 先端MOSFETおよび発光デバイスを目指したSiナノワイヤの基礎研究
著者: Yoshioka, Hironori
著者名の別形: 吉岡, 裕典
キーワード: Silicon
nanowire
MOSFET
light emitting diode
absorption coefficient
quantum confinement effect
mobility
density functional theory
発行日: 23-Jul-2010
出版者: 京都大学 (Kyoto University)
学位授与大学: 京都大学
学位の種類: 新制・課程博士
取得分野: 博士(工学)
報告番号: 甲第15612号
学位記番号: 工博第3301号
metadata.dc.date.granted: 2010-07-23
請求記号: 新制||工||1498(附属図書館)
整理番号: 28139
研究科・専攻: 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
論文調査委員: (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 山田 啓文
学位授与の要件: 学位規則第4条第1項該当
著作権等: 許諾条件により要旨・本文は2011-05-20に公開
DOI: 10.14989/doctor.k15612
URI: http://hdl.handle.net/2433/123341
出現コレクション:090 博士(工学)

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