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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ykogk04176.pdf | Abstract_要旨 | 158.16 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| dkogk04176.pdf | Dissertation_全文 | 2.62 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Crystalline properties of gallium oxide thin films epitaxially grown by mist chemical vapor deposition |
| その他のタイトル: | ミスト化学気相法によるエピタキシャル成長酸化ガリウム薄膜の結晶特性に関する研究 |
| 著者: | Lee, Sam-Dong |
| 著者名の別形: | 李, 三東 |
| キーワード: | Gallium oxide Epitaxial growth Chemical vapor deposition Semiconductor Crystal growth |
| 発行日: | 23-Mar-2016 |
| 出版者: | 京都大学 (Kyoto University) |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・課程博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 甲第19721号 |
| 学位記番号: | 工博第4176号 |
| 学位授与年月日: | 2016-03-23 |
| 請求記号: | 新制||工||1644(附属図書館) |
| 整理番号: | 32757 |
| 研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 |
| 論文調査委員: | (主査)教授 藤田 静雄, 教授 髙岡 義寛, 准教授 須田 淳 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
| 著作権等: | 許諾条件により本文は2017-01-01に公開 |
| DOI: | 10.14989/doctor.k19721 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/215547 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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