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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| dkogk05086.pdf | Dissertation_全文 | 4.17 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| ykogk05086.pdf | Abstract_要旨 | 411.44 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | A Study on Plasma Process-Induced Defect Creation in Si-Based Devices |
| その他のタイトル: | シリコン系デバイスにおけるプラズマプロセス誘起欠陥生成に関する研究 |
| 著者: | Sato, Yoshihiro |
| 著者名の別形: | 佐藤, 好弘 |
| キーワード: | Plasma-induced damage Plasma etching Defect Leakage current P–n junction Silicon devices |
| 発行日: | 23-Mar-2023 |
| 出版者: | Kyoto University |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・課程博士 |
| 取得分野: | 博士(工学) |
| 報告番号: | 甲第24580号 |
| 学位記番号: | 工博第5086号 |
| 学位授与年月日: | 2023-03-23 |
| 請求記号: | 新制||工||1974(附属図書館) |
| 研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科航空宇宙工学専攻 |
| 論文調査委員: | (主査)教授 江利口 浩二, 教授 土屋 智由, 教授 平方 寛之 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
| DOI: | 10.14989/doctor.k24580 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/283699 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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