ダウンロード数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
| タイトル: | Low-concentration deep traps in 4H-SiC grown with high growth rate by chemical vapor deposition |
| 著者: | Danno, K Hashimoto, K Saitoh, H Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | SiC epitaxial growth high purity deep level carrier lifetime |
| 発行日: | 2004 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS |
| 巻: | 43 |
| 号: | 7B |
| 開始ページ: | L969 |
| 終了ページ: | L971 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/3337 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.43.L969 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。